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MPCVD EQUIPMENT

MPCVD 金刚石培育设备

四代半与五代设备在售,自研微波电源,MTBF 超 1 万小时。

MPCVD 设备整机

GENERATIONS

四代 / 四代半 / 五代 设备对比

当前主推销售四代半与五代,五代生长台更大、产能更高。

参数第四代第四代半第五代
在售状态经典款在售主力在售主力
频率2450MHz2450MHz2450MHz
功率10kW10kW10-15kW
生长台尺寸92mm102mm120mm
最大生长厚度12mm15mm15mm
日常产品规格20×15×9.5mm 单晶21×17×9.7mm 单晶24×18×10mm 单晶
单炉产量14 颗/炉20 颗/炉按配置确认
单月生产效能200ct/台·月300ct/台·月按配置确认
微波电源 MTBF>10000 小时>10000 小时>10000 小时

SIX SYSTEMS

设备六大核心系统

从大功率沉积到自动化维护,全链条自主研发。

  • 1.1
    大功率微波等离子体沉积工艺

    支持 10kW 微波功率下 92mm 金刚石大面积均匀生长,晶体生长高度 12mm,同步实现 15kW/120mm。

  • 1.2
    晶体生长速率突破

    10kW 功率下,FG 色生长速率 8-10μm/h,EF 色 6-7μm/h,DE 色 5-6μm/h;高品质多晶(热导率 1800W/m·K)生长速率 2μm/h。

  • 1.3
    多晶沉积性能

    支持 102.6mm、120mm 尺寸的光学级多晶、热复合片生长。

  • 1.4
    高品级钻石毛坯生产

    设备单炉三个月生产高品质钻石毛坯 700 克拉(实验结果),可产出钻石 250 克拉。

  • 2.1
    高可靠微波电源系统

    自主研发 10kW 工业级 E-MG010K 微波电源,冗余散热设计,MTBF 超 10000 小时,提供微波电源、微波头超长时间质保。

  • 2.2
    多源兼容模块化架构

    支持 5 个厂家品牌常见微波电源、2 个厂家质量流量计(MFC)无缝切换,可配置石英/柱形/蝶形腔体及 5 路气路,实现实时自检。

  • 2.3
    长寿命低噪声设计

    优化设备密封技术与稳定技术,运行噪声 <50dB,胶圈寿命大幅提升。

  • 2.4
    超长连续运行能力

    通过 1500 小时无停机验证,沉积腔体无需特殊清洁。

  • 2.5
    工业级核心控制标准

    采用 ABB 与西门子控制系统,高标准工业配件。

  • 2.6
    工业级标准机架集成

    19 英寸标准工业机架设计,支持多设备堆叠部署与产线灵活扩展。

  • 2.7
    模块化架构设计

    集成空压、水冷、真空、电控、IPC 工控、微波电源、工艺气体、组态服务器八大标准化功能模块,即装即用与协同控制。

  • 3.1
    动态边缘均匀性控制技术

    创新生长外沿控制方案,确保手动/自动模式下大面积生长均匀性。

  • 3.2
    超精密压力闭环控制

    压力动态稳定性达 ±0.005kPa,适配高精度单晶/多晶沉积工艺。

  • 3.3
    大流量气路均衡控制

    实现对大流量气路的均衡控制,避免气体变化过程中气流喷射现象。

  • 3.4
    温场稳定性技术

    多参数耦合温控模型算法,实现自动运行过程中稳定的相邻部位温度均衡。

  • 3.5
    量产级良品率保障

    量产单次生长成品率稳定 2N 水平(99%),每批产品 7 次生长复合成品率 ≥93%。

  • 3.6
    设备控制系统优化

    集成高精度旋转编码器调节系统,实现温度、腔压、功率及时间参数的闭环精准控制,避免传统触摸屏多级菜单操作的失误风险。

  • 3.7
    腔体设计优化

    微波电场与工艺气体同腔室同轴喷射,极大提高微波能量效率,实现气流电场同轴性与全对称性;新材料和密封工艺解决传统石英腔体真空度/耐温不足缺陷。

  • 3.8
    微波传输部件

    波导部件一次成型工艺+水冷结构,高功率高甲烷下连续使用 1500 小时温升不超过 5 度,微波损耗和泄露低于国标规范 10%。

  • 3.9
    炉头生长基台部件

    一次成型炉头极大提高使用寿命,长期使用后不出现生长面平整度和导热效率下降。

  • 4.1
    实时监控与智能人机交互

    集成多模态可视化操作界面,支持 IPC(工业过程控制),实现工艺参数实时监控与追溯,预留智能机器人生产数据接口。

  • 4.2
    数字化生产管理平台

    部署工厂级电子看板系统,支持设备集群集中控制。

  • 4.3
    远程协同工艺管理

    内置远程控制模块,支持跨平台数据交互与工艺参数云端迭代,满足分多产区生产管理需求。

  • 4.4
    科研级网络互联

    支持 Profinet 总线、TCP/IP 协议通信,可接入实验室信息管理系统,满足高校等研究机构科研用途。

  • 4.5
    数据可视化与分析

    实时生成沉积过程图像、整合数据分析功能,便于工艺管控与升级。

  • 4.6
    工艺智能化与预警管理

    一键式智能温控程序,简化操作降低失误率,对气体、空压、水冷等运行设备实时故障分析并预警。

  • 4.7
    AI 与自动化前瞻设计

    设备预留 AI 软件、机器人生长功能。

  • 5.1
    能效优化空压系统

    独立空压控制,可免空压机运行,降低工厂空压能耗,提高空压系统稳定性。

  • 5.2
    智能热管理系统

    冷却系统重新设计,对散热、冷凝、热损耗特殊控制,对冷却水水质检测、预警和基础水质处理。

  • 6.1
    快速维护技术

    关键部件即插即用设计,方便工厂检修操作。

  • 6.2
    自动化腔体管理

    腔体自动弹出机构兼容升级机械臂操作,清洁效率大幅提升,适配无人化产线。

  • 6.3
    免维护清洁技术

    腔体自清洁工艺减少维护频次,无需特殊化学清洗处理。

GALLERY

设备实拍

整机、控制系统与集群监控电子看板。

MPCVD 设备整机
MPCVD 设备整机
设备集群监控电子看板
设备控制系统
MPCVD 设备正面
MPCVD 设备侧面
远程监控
Web 监控系统

机型展示 · 图片陆续上线

产品图片实拍图待上线
GEN-4.5

第四代半 MPCVD 设备

整机实拍图陆续上线

产品图片实拍图待上线
GEN-5

第五代 MPCVD 设备

整机实拍图陆续上线

CVD 反应腔实拍图待上线
等离子体辉光实拍图待上线

SPECIFICATIONS

技术规格

技术规格 · SPECIFICATIONS
参数
在售型号四代半 / 五代(另有四代)
微波电源自研 E-MG010K,2450 MHz
微波功率10 kW / 15 kW
生长面 / 晶体高度92mm / 12mm(10kW);120mm(15kW)
智能控制慧视 InsightAction、慧能 WiseAction
微波电源 MTBF> 10,000 小时
满负荷连续运行> 1500 小时无故障
腔压稳定性±0.005 kPa
运行噪音< 50 dB
控制系统西门子 s7-1200 + Profinet + IPC 视觉
单台月产能200-300 ct
单炉纪录856 ct2026 年 1 月,单炉一次运行多晶种合计产出,非单颗晶体重量
设备售价按配置报价
交期按配置与排产确认

APPLICATIONS

应用场景

  • 培育钻石生产商
  • HPHT 厂商拓展 CVD
  • 高校/科研院所
  • 金刚石产业基地

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供应能力

设备自研 + 材料自产:工艺窗口在自己手里

英特斯克同时是 MPCVD 设备制造商与金刚石材料生产商:微波电源(自研 E-MG010K,2450 MHz,10 kW / 15 kW)、腔体、智能控制到生长工艺全部自主:10 kW 下支持 92mm 大面积均匀生长、晶体生长高度 12mm,15 kW 可达 120mm 生长面。设备与工艺在同一屋檐下迭代。

这带来两点实际差异:一是工艺参数可以为特定订单调整,支持非标尺寸定制(毛坯 30×30×15 / 35×35×12 mm,为公司在 D-E 色 / VVS-VS / Type IIa 同品级下已交付的最大规格);二是设备可靠性直接决定交付稳定性——自研微波电源 MTBF 超 10,000 小时,满负荷连续运行超 1,500 小时无故障。

公司通过 ISO 9001:2015 质量管理体系认证,成品可出具 IGI 等权威机构分级证书,面向中国大陆及印度、中东、欧美等海外市场供货。

微波功率
10 / 15 kW
生长面 / 高度
92mm / 12mm(10kW)· 120mm(15kW)
微波电源 MTBF
> 10,000 h
腔压稳定性
±0.005 kPa
单次成品率
≥ 99%